LGS晶体具有宽的透过波段,从紫外242nm-3550nm都具有很高的透过率。LGS 晶体采用提拉法生长,熔点是1470 ℃ ,在生长温度至室温没有相变点,生长周期短,可以生长出较大尺寸晶体,有旋光性,但比石英小。
可应用于电光调制、电光调Q。LGS电光开关可用于高重复频率,高输出能量,应用范围广。
- 晶体尺寸 2 x 2 - 8 x 8 mm
- 外壳尺寸 Dia.30-65 mm
- 消光比 >350
- 整体透过率 >98% @ 1064nm
- 电极间隔离性 <1
- 光洁度 20/10(膜后40/20)
- 电容 9 pF
- 镀膜 AR/AR @ 1064nm (<0.2%)
- 抗光伤 600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm






































































































































































































































































电光Q开关.jpg)

































































