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晶体开关
磷酸二氘钾DKDP（KD*P）晶体光学损耗低，消光比高，电光性能好。通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体（DKDP）利用其纵向效应制成电光调Q 开关，适合用于脉冲固体激光器、低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域。
相对于传统的KD*P 电光调制晶体，BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相对于RTP 电光调制晶体，BBO 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性，有利于提高激光输出功率的稳定性。
光学级掺氧化镁铌酸锂（MgO:LN）晶体以及铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解，半波电压低；其缺点是消光比低，抗损伤阈值低，常被应用于低重复频率（100Hz）。
相对于传统的KD*P 电光调制晶体，BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相对于RTP 电光调制晶体，BBO 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性，有利于提高激光输出功率的稳定性。
光学级掺氧化镁铌酸锂（MgO:LN）晶体以及铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解，半波电压低；其缺点是消光比低，抗损伤阈值低，常被应用于低重复频率（100Hz）。
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