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DKDP 电光Q 开关 （DKDP 普克尔盒）
磷酸二氘钾DKDP（KD*P）晶体光学损耗低，消光比高，电光性能好。通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体（DKDP）利用其纵向效应制成电光调Q 开关，适合用于脉冲固体激光器、低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域，但是因为DKDP 晶体电光应用的缺点是四分之波电压比较高，1KHz 以上有振铃效应，我们可提供DKDP 电光调制器、DKDP 单晶、双晶电光开关等产品。因DKDP 晶体本身的易潮解性以及机械性能较差，建议使用时需注意在以下操作环境下使用：温度操作范围：10~50 度，温度变化每20 分钟不宜超过5 度，环境湿度：<40% ,尽量搭配湿度控制装置（干燥器皿及干燥剂）使用，不使用时请存储于干燥箱内。
注：由于DKDP 普克尔盒所需施加的四分之一波长电压和半波电压与温度有关，在1064nm 波长下，四分之一波长电压随温度变化的规律是温度每升高1ºC，所需四分之一波长电压升高约50V。即，dV/dT 约为+50V/ ºC 。
注：由于DKDP 普克尔盒所需施加的四分之一波长电压和半波电压与温度有关，在1064nm 波长下，四分之一波长电压随温度变化的规律是温度每升高1ºC，所需四分之一波长电压升高约50V。即，dV/dT 约为+50V/ ºC 。
- 最大截面 50mm
- 最小截面 5mm
- 长度最长 40mm
- 透过畸变 λ/8 @ 633nm
- 光学平行 ＜20 arc sec.
- 侧垂 ＜5 arc sec.
- 光洁度 10-5 膜后20-10
- 输出/输入端 镀膜 300-1200nm 可订制
- 透过畸变 λ/8 @ 633nm
- 整体透过率 ＞98%
- 损伤阈值 350 MW/cm² at 1064nm, 10ns,1Hz
外壳尺寸
使用波长
产品编号
规格参数
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外壳尺寸
λ/4电压 (@ 1064 nm)
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