DKDP 电光Q开关单晶 Dia.20x28mm³

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产品型号 390035

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通光孔径 8mm
晶体尺寸 Dia.8x16mm³
外壳尺寸 Dia.20x28mm³
λ/4电压 (@ 1064 nm) 3.2kV
电容 5pF
透过率 >98.5%
使用波长 1030nm-1064nm
损伤阈值,10ns 10Hz 1064nm 350MW/cm²
消光比 1000:1
磷酸二氘钾DKDP(KD*P)晶体光学损耗低,消光比高,电光性能好。通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体(DKDP)利用其纵向效应制成电光调Q 开关,适合用于脉冲固体激光器、低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域,但是因为DKDP 晶体电光应用的缺点是四分之波电压比较高,1KHz 以上有振铃效应,我们可提供DKDP 电光调制器、DKDP 单晶、双晶电光开关等产品。因DKDP 晶体本身的易潮解性以及机械性能较差,建议使用时需注意在以下操作环境下使用:温度操作范围:10~50 度,温度变化每20 分钟不宜超过5 度,环境湿度:<40% ,尽量搭配湿度控制装置(干燥器皿及干燥剂)使用,不使用时请存储于干燥箱内。
注:由于DKDP 普克尔盒所需施加的四分之一波长电压和半波电压与温度有关,在1064nm 波长下,四分之一波长电压随温度变化的规律是温度每升高1ºC,所需四分之一波长电压升高约50V。即,dV/dT 约为+50V/ ºC 。
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