BBO 电光Q 开关双晶 Dia.25x55mm³

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通光孔径 2.7mm
晶体尺寸 3x3x20mm³ 一对
外壳尺寸 Dia.25x55mm³
λ/4电压 (@ 1064 nm) 1.8kV
电容 6pF
透过率 >99%
消光比 >500:1
使用波长 1030nm-1064nm
损伤阈值 600MW/cm²(10ns 10Hz 1064nm)
相对于传统的KD*P 电光调制晶体,BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数,弱的压电振铃效应,更宽的光谱透过范围(210-2000nm)等优点。相对于RTP 电光调制晶体,BBO 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性,有利于提高激光输出功率的稳定性。
因此,由BBO 晶体制成的电光Q 开关常被应用于高重复频率(1MHz),高功率(高达1000W)的电光调Q 固体激光器,腔倒空调Q 激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大激光系统中,我们也提供配套的调制、调Q、选单、再生放大等驱动电源。由于电光Q 开关的关断时间(<4ns)远短于声光Q 开关的关断时间(<100ns),因此,采用BBO 电光 Q 开关的全固态短腔调Q激光器可产生脉冲宽度小于4ns 的高能激光,是作为电光内雕机的首选光源。在无需水冷的情况下,BBO 电光Q 开关可关断并承受高达150W 的腔内振荡光功率(激光输出功率高达50W)。
BBO 晶体缺点是电光系数小,半波电压相对较高,因此可通过增长晶体长度、减少电极间距,以及采用两块BBO 晶体串联方式来减少半波电压和四分之波电压。
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